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產品詳情
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  • 產品名稱:等離子增強物理化學氣相沉積HPCVD

  • 產品型號:
  • 產品廠商:泰諾
  • 產品文檔:
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簡單介紹:
等離子增強物理化學氣相沉積HPCVD包括一臺雙溫區管式爐,一套鎢絲蒸發源,一套等離子發生裝置以及一套質量流量計系統,等離子增強物理化學氣相沉積HPCVD通過蒸發源將反應物在進氣端蒸發后通過氣流載入管式爐溫區內進行CVD反應。
詳情介紹:

○ 產品介紹

HPCVD(等離子增強混合物理化學氣相沉積)系統
本產品是一款1200℃等離子增強混合物理化學氣相沉積(HPCVD)雙溫區旋轉管式爐系統。該設備包括一臺雙溫區管式爐,一套鎢絲蒸發源,一套等離子發生裝置以及一套質量流量計系統。其工作原理是通過蒸發源將反應物在進氣端蒸發后通過氣流載入管式爐溫區內進行CVD反應,同時通過等離子增強促進反應的發生,適用于無機復合粉末的熱處理及粉末表面的均勻包覆(如:制備鋰離子電池陰極粉末的導電涂層等)

○ 技術參數    

雙溫區管式爐

爐管材質 高純石英
爐管直徑 50mm
爐管長度 1200mm
爐膛長度 400mm
加熱區長
200mm+200mm
工作溫度 0~1100℃
控溫 30段或50段程序控溫,±1℃
顯示模式 高清全彩LCD觸控屏
密封方式 304不銹鋼真空法蘭
供電電源 AC:220V 50/60Hz  2.5kW

蒸發舟

工作溫度 1300℃
蒸發源 鎢絲籃,可選配錐形氧化鋁坩堝
電偶 S型熱電偶
工作電流 ≤30A 
*大功率
500W
供氣系統

流量計 四路質子流量計
流量范圍 MFC1量程:0~200sccm  MFC2量程:0~200sccm

MFC3量程:0~500sccm  MFC4量程:0~500sccm

分別對應氣體H2、 CH4、 N2、 Ar、

測量精度 ±1.5%F.S
重復精度 ±0.2%FS
線性精度
±1%F.S.
響應時間 ≤4s
工作壓力 -0.15Mpa~0.15Mpa
流量控制 液晶觸摸屏控制,數字顯示,每路氣體含有針閥單獨控制
進氣接口 可接1/4NPS或者外徑6mm不銹鋼管
出氣接口 可接1/4NPS或者外徑6mm不銹鋼管
連接方式
雙卡套接頭
工作溫度
5~45℃
氣體預混
配氣體預混裝置
排氣系統

產品型號 TN-GZK103-A
分子泵 渦輪分子泵
前極泵 雙極旋片泵
抽氣速率 分子泵:600L/S

旋片泵:1.1L/S

綜合抽氣性能:30分鐘真空度可達:5×10E-3Pa

極限真空
5×10E-4Pa
抽氣接口 KF40
排氣接口 KF16
真空測量 復合真空計

RF輸出系統參數

功率/頻率
0~300W調/13.56MHz+0.005%
整機效率
≥70%
工作模式
連續輸出
功率因素
≥90%
匹配阻抗模式
能夠匹配,起輝均勻布滿爐管
供電電壓/頻率
單相交流(187V~153V) 頻率50/60Hz
功率穩定度
≤2W
控制模式
內控/PLC 模擬量/RS232/485通訊
正常工作反射功率
≤3W
電源保護設置
DC過流保護,功放過溫保護,反射功率保護
放大反射功率
≤70W
冷卻方式
強制風冷
諧波分量
≤-50dBc
起輝長
在Ar下射頻電源與線圈配合起輝輝光能布滿爐管

○ 免責聲明

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